Một bước đột phá trong sản xuất hàng loạt đã đạt đượcnhư bị sa thảichất nền gốm silicon nitride có độ dày chỉ 70 micromet (0,07 mm) - lập kỷ lục nội địa mới về sản xuất chất nền silicon nitride siêu mỏng và nâng khả năng công nghiệp hóa của công ty lên cấp độ đầu tiên trong ngành.
Nhóm phát triển đã đạt được điều này thông qua các công nghệ chủ chốt bao gồm kiểm soát pha tinh thể chính xác và tối ưu hóa hỗn hợp bột siêu mịn. Họ cũng áp dụng quy trình tạo hình và thiêu kết một bước tích hợp mới giúp loại bỏ bước mài, cho phép nung trực tiếp ở nhiệt độ gần 2000 độ. Cách tiếp cận này cải thiện đáng kể việc sử dụng vật liệu và hiệu quả sản xuất. Chất nền thu được không chỉ đạt độ dày kỷ lục 70 μm mà còn chịu được uốn góc lớn lên tới 120 độ mà không bị gãy, với cường độ uốn ổn định là 1200 MPa và độ dẫn nhiệt khoảng 85 W/m·K.
Chất nền silicon nitride chủ yếu được sử dụng trong đóng gói cho chip điện toán AI, mô-đun truyền động xe điện và các thiết bị công suất cao khác. Gốm sứ vốn đã cứng và giòn, còn đối với chất nền silicon nitrit, hiện tượng nứt và cong vênh là phổ biến trong quá trình tạo hình và thiêu kết - chất nền càng mỏng thì năng suất sản xuất càng thấp. Hiện nay, các loại nền sản xuất trong nước thường có độ dày khoảng 0,254 mm. Độ dày quyết định trực tiếp khả năng chịu nhiệt: lớp nền mỏng hơn làm giảm khả năng cản nhiệt và rút ngắn đường tản nhiệt, điều này rất quan trọng để đáp ứng nhu cầu làm mát của các bộ phận công suất cao như chip AI. Đồng thời, chất nền siêu mỏng giúp tiết kiệm không gian quý giá trong các thiết bị điện tử, khiến chúng trở thành chìa khóa cho việc thu nhỏ và làm nhẹ mô-đun.
Bước đột phá này trong chất nền gốm silicon nitrit siêu mỏng thể hiện bước tiến đáng kể trong vật liệu gốm tiên tiến. Nó không chỉ khắc phục nút thắt kỹ thuật "mỏng nhưng dễ vỡ" lâu nay mà còn cung cấp nền tảng vật chất quan trọng cho việc thu nhỏ, độ tin cậy cao và quản lý nhiệt hiệu quả của các thiết bị điện tử hiệu suất cao thông qua các lộ trình xử lý cải tiến.